參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1425BV18-200BZXC
廠(chǎng)商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 8/28頁(yè)
文件大小： 666K
代理商： CY7C1425BV18-200BZXC
CY7C1410BV18, CY7C1425BV18
CY7C1412BV18, CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *D
Page 16 of 28
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range [13, 14]
Parameter
Description
Min
Max
Unit
tTCYC
TCK Clock Cycle Time
50
ns
tTF
TCK Clock Frequency
20
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
20
ns
tTL
TCK Clock LOW
20
ns
Setup Times
tTMSS
TMS Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tTDIS
TDI Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tCS
Capture Setup to TCK Rise
5
ns
Hold Times
tTMSH
TMS Hold after TCK Clock Rise
5
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
5
ns
tCH
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
Output Times
tTDOV
TCK Clock LOW to TDO Valid
10
ns
tTDOX
TCK Clock LOW to TDO Invalid
0
ns
TAP Timing and Test Conditions
Figure 2 shows the TAP timing and test conditions. [14]
Figure 2. TAP Timing and Test Conditions
tTL
tTH
(a)
TDO
CL = 20 pF
Z0 = 50Ω
GND
0.9V
50
Ω
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
Test Mode Select
TCK
TMS
Test Data In
TDI
Test Data Out
tTCYC
tTMSH
tTMSS
tTDIS
tTDIH
tTDOV
tTDOX
TDO
Notes
13. tCS and tCH refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
14. Test conditions are specified using the load in TAP AC Test Conditions. tR/tF = 1 ns.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1442AV25-200BZC 2M X 18 CACHE SRAM, 3.2 ns, PBGA165
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CY7C172A-25VC 4K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO24
CY7C188-35VC 32K X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32
CY7C292A-25DI 2K X 8 OTPROM, 25 ns, CDIP24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1425JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx9 1.8V QDR-II BURST 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx9 QDR-II Burst 2 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-267BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-267BZIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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