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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG646BH25 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | DG646BH25 |
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DG646BH25
13/19
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
30
25
20
15
10
G
g
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
G
g
μ
s
Conditions:
C
S
= 2.0
μ
F,
dI
GQ
/dt = 40A/
μ
s
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
Fig.21 Gate storage time vs rate of rise of reverse gate current
Fig.22 Gate fall time vs on-state current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG648BH | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH45 | Gate Turn-off Thyristor |
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| DGL-13-1 | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| DG646BH25-148 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:SCR - PHASE CONTROL THYRISTOR |
| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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