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參數(shù)資料
| 型號： | DG646BH25 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 16/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | DG646BH25 |
DG646BH25
16/19
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
8000
7000
6000
5000
4000
T
G
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
0.1
500
1000
R
-
μ
s
Gate cathode resistance R
GK
- (Ohms)
Fig.28 Rate of rise of off-state voltage vs gate cathode resistance
V
D
= 1650V
V
D
= 1250V
1.0
10
100
1000
T
j
= 125
C
Fig.27 Turn-off gate charge vs rate of rise of reverse gate current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG648BH | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH45 | Gate Turn-off Thyristor |
| DG758BX | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG758BX45 | ER 26C 26#16 SKT PLUG |
| DGL-13-1 | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DG646BH25_05 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Gate Turn-off Thyristor |
| DG646BH25-125A | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
| DG646BH25-148 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:SCR - PHASE CONTROL THYRISTOR |
| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH33 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
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