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參數(shù)資料
| 型號： | DG648BH |
| 英文描述： | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO的晶閘管-不對稱-光盤/北辰設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 16/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | DG648BH |
DG648BH45
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70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
7000
6000
5000
4000
3000
T
G
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
J
= 125
C
0
0.1
500
1000
R
-
μ
s
Gate cathode resistance R
GK
- (Ohms)
V
D
= 3000V
V
D
= 2250V
1.0
10
100
1000
T
j
= 125
C
Fig.27 Turn-off gate charge vs rate of rise of reverse gate current
Fig.28 Rate of rise of off-state voltage vs gate cathode resistance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| DG758BX | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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| DGL-13-1-883B | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| DG648BH40 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
| DG648BH45 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
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