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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG648BH |
| 英文描述： | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO的晶閘管-不對(duì)稱-光盤/北辰設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | DG648BH |
DG648BH45
4/19
CURVES
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Junction temperature T
j
- (
C)
0
2.0
4.0
6.0
8.0
G
G
0
0.5
1.0
1.5
2.0
G
G
I
GT
V
GT
0
1.0
Instantaneous on-state voltage V
TM
- (V)
2.0
3.0
4.0
5.0
0
1000
2000
3000
4000
I
T
Measured under pulse conditions.
I
= 7A
Half sine wave 10ms
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
Fig.1 Maximum gate trigger voltage/current vs junction temperature
Fig.2 On-state characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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