參數(shù)資料
型號(hào)： FSBB20CH60
廠商： Etron Technology, Inc
英文描述： Smart Power Module
中文描述： 智能功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/16頁(yè)
文件大?。?/td> 544K
代理商： FSBB20CH60
8
www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
Mechanical Characteristics and Ratings
Figure 5. Flatness Measurement Position
Parameter
Conditions
Limits
Typ.
Units
Min.
Max.
Mounting Torque
Mounting Screw: - M3
Recommended 0.62Nm
0.51
0.62
0.72
Nm
Device Flatness
Note Figure 5
0
-
+120
μ
m
Weight
-
15.00
-
g
( + )
( + )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSBB30CH60 Smart Power Module
FSBCW30 PNP General Purpose Amplifier(PNP通用運(yùn)算放大器)
FSBF10CH60B Smart Power Module
FSBM10SH60A 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
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參數(shù)描述
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FSBB20CH60C 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CT 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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