參數(shù)資料
型號(hào)： FSBB20CH60
廠商： Etron Technology, Inc
英文描述： Smart Power Module
中文描述： 智能功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 9/16頁(yè)
文件大?。?/td> 544K
代理商： FSBB20CH60
9
www.fairchildsemi.com
FSBB20CH60 Rev. C
F
Time Charts of SPMs Protective Function
a1 : Control supply voltage rises: After the voltage rises UV
CCR
, the circuits start to operate when next input is applied.
a2 : Normal operation: IGBT ON and carrying current.
a3 : Under voltage detection (UV
CCD
).
a4 : IGBT OFF in spite of control input condition.
a5 : Fault output operation starts.
a6 : Under voltage reset (UV
CCR
).
a7 : Normal operation: IGBT ON and carrying current.
Figure 6. Under-Voltage Protection (Low-side)
b1 : Control supply voltage rises: After the voltage reaches UV
BSR
, the circuits start to operate when next input is applied.
b2 : Normal operation: IGBT ON and carrying current.
b3 : Under voltage detection (UV
BSD
).
b4 : IGBT OFF in spite of control input condition, but there is no fault output signal.
b5 : Under voltage reset (UV
BSR
)
b6 : Normal operation: IGBT ON and carrying current
Figure 7. Under-Voltage Protection (High-side)
Input Signal
Output Current
Fault Output Signal
Control
Supply Voltage
RESET
UV
CCR
Protection
Circuit State
SET
RESET
UV
CCD
a1
a3
a2
a4
a6
a5
a7
Input Signal
Output Current
Fault Output Signal
Control
Supply Voltage
RESET
UV
BSR
Protection
Circuit State
SET
RESET
UV
BSD
b1
b3
b2
b4
b6
b5
High-level (no fault output)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSBB30CH60 Smart Power Module
FSBCW30 PNP General Purpose Amplifier(PNP通用運(yùn)算放大器)
FSBF10CH60B Smart Power Module
FSBM10SH60A 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FSBM10SH60 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSBB20CH60B 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60BT 功能描述:IGBT 模塊 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60C 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模塊 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSBB20CH60CT 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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