參數(shù)資料
型號(hào)： GS840E18GB-180
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 13/31頁(yè)
文件大小： 629K
代理商： GS840E18GB-180
Rev: 2.05 6/2000
20/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2a
D2b
D2c
D2d
D3a
D1
a
t
KL
t
KH
tS tH
Write specified byte for 2
a and all bytes for 2b, 2c& 2d
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E1 inactive
A0-An
BA - BD
DQA - DQD
Write
Deselected
Hi-Z
WR1
WR2
WR3
Write Cycle Timing
E1
E3
tS tH
E2 and E3 only sampled with ADSP or ADSC
E1 masks ADSP
E2
Deselected with E2
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