參數(shù)資料
型號(hào)： GS840E18GB-180
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 17/31頁(yè)
文件大?。?/td> 629K
代理商： GS840E18GB-180
Rev: 2.05 6/2000
24/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
E1
E3
G
E2
WR1
Q1a
D1
a
Q2a
Q2b
Q2C
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS tH
tS
tS tH
tS
tH
tS tH
tKH
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E3
DQA - DQD
tKL
tKC
tS
tH
Single Write
ADSP is blocked by E1 inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
BA - BD
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
RD1
WR1
RD2
tS tH
A0-An
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