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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E18GB-180 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 6/31頁 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | GS840E18GB-180 |
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Rev: 2.05 6/2000
14/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
W
R
W
R
X
CR
R
CW
CR
W
CW
W
CW
Simplified State Diagram with G
Notes:
1. The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
2. Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from Read cycles to Write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal Read cycles.
3. Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
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