- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371780 > HCS12COREUG (Motorola, Inc.) MC9S12DT128B PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HCS12COREUG |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數(shù)： | 86/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | HCS12COREUG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁當(dāng)前第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
86
A device will be defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device
specification.
Table A-2 ESD and Latch-up Test Conditions
A.1.7 Operating Conditions
This chapter describes the operating conditions of the device. Unless otherwise noted those conditions
apply to all the following data.
NOTE:
Please refer to the temperature rating of the device (C, V, M) with regards to the
ambient temperature T
A
and the junction temperature T
J
. For power dissipation
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Ohm
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Machine
Series Resistance
R1
0
Ohm
Storage Capacitance
C
200
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table A-3 ESD and Latch-Up Protection Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
1
C Human Body Model (HBM)
V
HBM
2000
–
V
2
C Machine Model (MM)
V
MM
200
–
V
3
C Charge Device Model (CDM)
V
CDM
500
–
V
4
C
Latch-up Current at 125
°
C
positive
negative
I
LAT
+100
–100
–
mA
5
C
Latch-up Current at 27
°
C
positive
negative
I
LAT
+200
–200
–
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCS132KMSR | Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger |
| HCS132K | Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger |
| HCS132MS | Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger |
| HCS132D | Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger |
| HCS132DMSR | RESISTOR NETWORK; THR; BUSSED; 4.7K OHM X 15 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HCS12DBFAMILYPP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HCS12DB Family Product Proposal |
| HCS12DFAMILYPP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HCS12 D-Family Product Proposal |
| HCS12H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:16-bit Microcontroller |
| HCS12HFAMILYPP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HCS12 H-Family Product Proposal |
| HCS12XDFAMILYPP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HCS12 XD-Family Product Brief |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。