參數(shù)資料
型號(hào)： HM5425801B
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
中文描述： 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 29/62頁(yè)
文件大?。?/td> 1016K
代理商： HM5425801B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
29
Command Intervals
A Read command to the consecutive Read command Interval
Destination row of the
consecutive read command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
The consecutive read can be performed after an interval of no less
than 1 cycle to interrupt the preceding read operation.
2. Same
Different
—
Precharge the bank to interrupt the preceding read operation. t
after
the precharge command, issue the ACTV command. t
after the
ACTV command, the consecutive read command can be issued. See
‘A read command to the consecutive precharge interval’ section.
3. Different
Any
ACTIVE
The consecutive read can be performed after an interval of no less
than 1 cycle to interrupt the preceding read operation.
IDLE
Precharge the bank without interrupting the preceding read operation.
t
after the precharge command, issue the ACTV command. t
after
the ACTV command, the consecutive read command can be issued.
READ to READ Command Interval
(same ROW address in the same bank)
"
#
A0
A1
B0
B1
B2
B3
CLK
CLK
Address
BA
Dout
DQS,
DQSU/DQSL
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
Bank0
Active
Column = A
Dout
Column = B
Dout
"
#
CAS
latency = 2
Burst length = 4
Bank0
NOP
ACTV
NOP
READ
Row
Column A
READ
Column B
Column = A
Read
Column = B
Read
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HM6116LP-4 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
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