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參數資料
| 型號： | HN29W12814A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128M的AND型快閃記憶體（128兆及型閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 21/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 289K |
| 代理商： | HN29W12814A |
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HN29W12814A Series
21
Program, Erase and Erase Verify
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Write cycle time
t
CWC
t
SCC
t
CES
t
CEH
t
WP
t
WPH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OEWS
120
—
—
ns
Serial clock cycle time
CE
setup time
CE
hold time
50
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
Write pulse time
60
—
—
ns
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
Write pulse high time
40
—
—
ns
Address setup time
50
—
—
ns
Address hold time
10
—
—
ns
Data setup time
50
—
—
ns
Data hold time
OE
setup time before command
write
OE
setup time before read
10
—
—
ns
0
—
—
ns
t
OEPS
t
DB
t
ASE
t
ABE
t
ASP
t
CPH
t
CWCC
40
—
—
ns
Time to device busy
—
—
150
ns
Auto erase time (Sector)
—
0.8
20
ms
Auto erase time (Block)
—
0.8
20
ms
Auto program time
CE
pulse high time
—
0.3
20
ms
200
—
—
ns
Write cycle time for control byte
program
2.5
—
—
μ
s
SC pulse width
t
SP
t
SPL
t
SDS
t
SDH
t
SW
t
SCS
t
SCHW
t
CE
t
OE
t
DF
t
RP
20
—
—
ns
SC pulse low time
20
—
—
ns
Data setup time for SC
0
—
—
ns
Data hold time for SC
SC setup for
WE
SC setup for
CE
SC hold time for
WE
CE
to output delay
OE
to output delay
OE
high to output float
RES
to write setup time
30
—
—
ns
CDE
= V
IL
CDE
= V
IL
20
—
—
ns
0
—
—
ns
20
—
—
ns
—
—
120
ns
—
—
60
ns
—
—
40
ns
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
1
1
—
—
ms
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