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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6411A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M AND type Flash Memory(64M AND型閃速存儲器) |
| 中文描述： | 6400 AND型快閃記憶體（64米及型閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 20/30頁 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | HN29W6411A |
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HN29W6411A Series
20
Parameter
CDE
setup time for
WE
CDE
hold time for
WE
WE
to erase verify
CDE
setup time for SC
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
t
CDS
t
CDH
t
OEV
t
CDSS
t
RDY
t
CDCH
t
CDAC
t
CDF
0
—
—
ns
20
—
—
ns
20
—
—
μ
s
100
—
—
ns
Next cycle ready time
CDE
to
CE
,
OE
hold time
CDE
to output delay
CDE
to output invalid
Note:
1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
0
—
—
ns
50
—
—
ns
—
—
50
ns
0
—
—
ns
Timing Waveforms
Power on and off Sequence
t
RES
t
RP
t
CES
t
BSY
t
CEH
t
CESR
t
RP
t
BSY
t
CES
t
CEH
t
RES
t
DFP
t
CWRH
t
CESR
t
CWRS
V
CC
CE
WE
RES
RDY
/
Busy
*
1
*
2
*
1
High-Z
Ready
Notes: 1.
RES
must be kept at the V
ILR
(V
SS
±
0.2 V) level referred to DC characteristics at the rising and falling
edges of V
CC
to guarantee data stored in the chip.
2.
RES
must be kept at the V
IHR
(V
CC
±
0.2 V) level referred to DC characteristics while I/O7 outputs the V
OL
level in the status data polling and RDY/
Busy
outputs the V
OL
level.
3. : Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W6484AH03TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29W6484DH08TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W6411ASERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W6411ATT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|AND FLASH|8448KX8|CMOS|TSOP|48PIN|PLASTIC |
| HN29W6411TT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W6484AH03TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
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