參數(shù)資料
型號: HYB 39S128400CT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 128兆位(4banks × 8MBit × 4)同步DRAM(128M的(4列× 800萬位× 4)同步動態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 18/42頁
文件大小: 280K
代理商: HYB 39S128400CT
HYB 39S128400/800/160CT(L)
128-MBit Synchronous DRAM
Data Book
18
1.00
Refresh Cycle
Refresh Period
(4096 cycles)
t
REF
64
64
ms
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
1
CLK
6
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
3
3
ns
2, 5
Data Out to Low Impedance
Time
1
0
ns
Data Out to High Impedance
Time
t
HZ
3
7
3
8
ns
DQM Data Out Disable
Latency
t
DQZ
2
2
CLK
Write Cycle
Write Recovery Time
t
WR
t
DQW
2
2
CLK
DQM Write Mask Latency
0
0
CLK
AC Characteristics
(cont’d)
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
-8
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S128800CT 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
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HYB 39S256160T 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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