參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 39S128400CT
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 128兆位（4banks × 8MBit × 4）同步DRAM（128M的（4列× 800萬位× 4）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 25/42頁
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代理商： HYB 39S128400CT
HYB39S128400/800/160CT(L)
128MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
5. Burst Write Operation
(
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述
HYB 39S128800CT 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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