參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S128400CT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 128兆位(4banks × 8MBit × 4)同步DRAM(128M的(4列× 800萬(wàn)位× 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁(yè)數(shù): 3/42頁(yè)
文件大小: 280K
代理商: HYB 39S128400CT
HYB 39S128400/800/160CT(L)
128-MBit Synchronous DRAM
Data Book
3
1.00
Pin Configuration for x4, x8 & x16 Organized 128M-DRAMs
SPP04121
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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39
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35
34
33
32
31
30
29
28
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
BA1
A10
BA0
CS
RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
N.C.
V
SSQ
DQ3
N.C.
V
DDQ
DQ2
N.C.
V
SSQ
DQ1
N.C.
V
DDQ
V
DD
A3
A2
A1
A0
DQ0
V
DD
V
DD
N.C.
BA1
A10
BA0
CS
RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
N.C.
V
SSQ
DQ1
N.C.
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
DQ0
N.C.
V
DDQ
V
DD
A3
A2
A1
A0
V
SS
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ3
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ2
V
DDQ
N.C.
V
SS
N.C.
DQM
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
CLK
CKE
N.C.
A11
A9
A9
A8
A11
N.C.
CKE
DQM
CLK
N.C.
V
SS
N.C.
V
DDQ
DQ4
N.C.
V
SSQ
DQ5
N.C.
V
DDQ
DQ6
N.C.
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
DQ7
V
SS
V
SS
DQ15
A9
A8
A11
N.C.
CKE
UDQM
CLK
N.C.
V
SS
DQ8
V
DDQ
DQ9
DQ10
V
SSQ
DQ11
DQ12
V
DDQ
DQ13
DQ14
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
TSOPII-54 (10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch)
32 M x 4
16 M x 8
8 M x 16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S128800CT 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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HYB 39S16160CT-7 1M × 16-Mbit Synchronous DRAM for High-Speed Graphics Applications(16M位(1M × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM(用于高速圖形場(chǎng)合))
HYB 39S256160T 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB39S128400CT-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 NS, PDSO54
HYB39S128400CT-75 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM
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