參數(shù)資料
型號: HYB 514100BJ-50
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 4米× 1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(4米× 1位動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 10/21頁
文件大?。?/td> 108K
代理商: HYB 514100BJ-50
HYB 514100BJ-50/-60
4M
×
1 DRAM
Semiconductor Group
10
1998-10-01
Write Cycle (Early Write)
WCS
IH
DI
(Input)
(Output)
V
OL
DO
V
OH
V
IL
"H" or "L"
V
WE
V
IL
V
IH
SPT03014
Valid Data IN
Hi Z
RWL
WCH
t
DS
DH
t
t
t
t
WP
RAD
V
V
IH
A10
A0 -
V
IL
IL
RAH
Address
t
t
Row
ASR
t
t
CAS
V
IH
RAS
IH
V
V
IL
t
RC
CWL
RAL
Address
Column
t
ASC
t
t
CAH
t
RCD
t
CSH
t
RAS
t
CAS
t
RSH
t
Address
Row
ASR
t
CRP
t
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB514100BJ-60 4M x 1-Bit Dynamic RAM
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HYB514171BJ-50 256k x 16-Bit Dynamic RAM
HYB514171BJ-50- 256k x 16-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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