參數(shù)資料
型號： HYB 514100BJ-50
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 1位動態(tài)隨機存儲器（4米× 1位動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/21頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： HYB 514100BJ-50
HYB 514100BJ-50/-60
4M
×
1 DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CP
t
CPA
t
RAS
t
RHCP
35
–
40
–
ns
CAS precharge time
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
30
–
35
ns
7
RAS pulse width
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
30
–
35
–
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
55
–
60
–
ns
CAS precharge to WE
30
–
35
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
ns
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
± 10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
5, 6
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min. max.
min.
max.
相關PDF資料
PDF描述
HYB514100BJ-50- 4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB514100BJ-60 4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB 514171BJ-50 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動態(tài) RAM)
HYB514171BJ-50 256k x 16-Bit Dynamic RAM
HYB514171BJ-50- 256k x 16-Bit Dynamic RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB514100BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB514100BJ-50- 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB514100BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB514100BJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB514100BJL-50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
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