參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 514100BJ-50
廠(chǎng)商： SIEMENS AG
英文描述： 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4米× 1位動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 2/21頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： HYB 514100BJ-50
HYB 514100BJ-50/-60
4M
×
1 DRAM
Semiconductor Group
2
1998-10-01
The HYB 514100BJ is the new generation dynamic RAM organized as 4 194 304 words by 1-bit.
The HYB 514100BJ utilizes CMOS silicon gate process as well as advances circuit techniques to
provide wide operation margins, both internally and for the system user. Multiplexed address inputs
permit the HYB 514100BJ to be packed in a standard plastic P-SOJ-26/20 package. This package
size provides high system bit densities and is compatible with commonly used automatic testing and
insertion equipment. System oriented features include single + 5 V (
±
10 %) power supply, direct
interfacing with high performance logic device families such as Schottky TTL.
Pin Configuration
Pin Names
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
HYB 514100BJ-50
Q67100-Q971
P-SOJ-26/20-2 300 mil
DRAM (access time 50 ns)
HYB 514100BJ-60
Q67100-Q759
P-SOJ-26/20-2 300 mil
DRAM (access time 60 ns)
A0 – A10
Address Input
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Read/Write Input
DI
Data In
DO
V
CC
V
SS
N.C.
Data Out
Power Supply (+ 5 V)
Ground (0 V)
No Connection
P-SOJ-26/20-2
1
2
3
4
5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
22
23
A8
A7
A6
A0
A1
A2
RAS
N.C.
A10
SPP02808
DO
CAS
N.C.
A9
SS
V
DI
WE
A3
A5
A4
26
25
24
CC
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514100BJ-50- 4M x 1-Bit Dynamic RAM
HYB514100BJ-60 4M x 1-Bit Dynamic RAM
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HYB514171BJ-50 256k x 16-Bit Dynamic RAM
HYB514171BJ-50- 256k x 16-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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