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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G160AF-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G160AF-3S |
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HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 31 Rev. 1.02 May 2004
Read followed by a write to the same bank, Activate to Read delay = tRCDmin:
AL = 0, CL = 3, RL = (AL + CL) = 3, WL = (RL -1) = 2, BL = 4
0
2
3
1
Read followed by a write to the same bank, Activate to Read delay > tRCDmin:
AL = 1, CL = 3, RL = 4, WL = 3, BL = 4
Activate
Bank A
Bank A
Write
tRCD
CL = 3
AL = 0
RL = AL + CL = 3
WL = RL -1 = 2
PostCAS2
CMD
DQ
DQS,
DQS
CK, CK
4
5
6
7
8
9
10
11
Read
Dout0 Dout1 Dout2 Dout3
Din0
Din1
Din2
Din3
Activate
Bank A
tRCD > tRCDmin.
RL = 4
WL = 3
PostCAS5
CMD
DQ
DQS,
DQS
CK, CK
0
2
3
4
5
1
6
7
8
9
10
11
Bank A
Read
Dout0 Dout1 Dout2 Dout3
Din0
Din1
Din2
Din3
Write
Bank A
12
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G160AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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