參數(shù)資料
型號: HYB18T1G160AF-3S
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述: 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù): 8/89頁
文件大小: 1261K
代理商: HYB18T1G160AF-3S
Page 8 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
1.4.3 Package Pinout for x16 components 84 pins + 8 support pins, FBGA-92 Package (top view)
1
2
3
7
8
9
NC
NC
A
NC
NC
B
C
VDD
NC
VSS
D
VSSQ
UDQS
VDDQ
UDQ6
VSSQ
UDM
E
UDQS
VSSQ
UDQ7
VDDQ
UDQ1
VDDQ
F
VDDQ
UDQ0
VDDQ
UDQ4
VSSQ
DQ3
G
UDQ2
VSSQ
UDQ5
VDD
NC
VSS
H
VSSQ
LDQS
VDDQ
LDQ6
VSSQ
LDM
J
LDQS
VSSQ
LDQ7
VDDQ
LDQ1
VDDQ
K
VDDQ
LDQ0
VDDQ
LDQ4
VSSQ
LDQ3
L
LDQ2
VSSQ
LDQ5
VDDL
VREF
VSS
M
VSSDL
CK
VDD
CKE
WE
N
RAS
CK
ODT
BA2
BA0
BA1
P
CAS
CS
A10
A1
R
A2
A0
VDD
VSS
A3
A5
T
A6
A4
A7
A9
U
A11
A8
VSS
VDD
A12
NC,(A14)
V
NC,(A15) NC,(A13)
W
X
NC
NC
AA
NC
NC
Notes:
1) UDQS/UDQS is data strobe for upper byte, LDQS/LDQS is data strobe for lower
byte
2) UDM is the data mask signal for the upper byte UDQ0~UDQ7,
LDM is the data mask signal for the lower byte LDQ0~LDQ7
3) NC,(A13), NC,(A14) and NC,(A15) are additional address pins for future genera-
tion DRAMs and are not connected on this component.
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T1G160AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G160AFL-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA