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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G160AF-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 6/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G160AF-3S |
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Page 6 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
1.3 1Gbit DDR2 Addressing
1.4 Package Pinout & Addressing
1.4.1 Package Pinout for x4 components, 60 pins + 8 support pins, FBGA-68 Package (top view)
Configuration
256Mb x 4
8
128Mb x 8
64Mb x 16
# of Banks
8
8
Bank Address
BA0, BA1, BA2
BA0, BA1, BA2
BA0, BA1, BA2
Auto-Precharge
A10 / AP
A10 / AP
A10 / AP
Row Address
A0 ~ A13
A0 ~ A13
A0 ~ A12
Column Address
A0 ~ A9, A11
A0 ~ A9
A0 ~ A9
Page Length
2048 bits
1024 bits
1024 bits
Page Size
1024 (1kB)
1024 (1kB)
2048 (2kB)
page length = 2
colbit,
,
page size in bytes = 2
colbits
x ORG / 8
where colbits is the number of column address bits and ORG the number of I/O (DQ) bits.
1
2
3
7
8
9
NC
NC
A
NC
NC
B
C
D
VDD
NC
VSS
E
VSSQ
DQS
VDDQ
NC
VSSQ
DM
F
DQS
VSSQ
NC
VDDQ
DQ1
VDDQ
G
VDDQ
DQ0
VDDQ
NC
VSSQ
DQ3
H
DQ2
VSSQ
NC
VDDL
VREF
VSS
J
VSSDL
CK
VDD
CKE
WE
K
RAS
CK
ODT
BA2
BA0
BA1
L
CAS
CS
A10
A1
M
A2
A0
VDD
VSS
A3
A5
N
A6
A4
A7
A9
P
A11
A8
VSS
VDD
A12
NC(A14)
R
NC,(A15)
A13
T
U
V
NC
NC
W
NC
NC
Notes:
1) VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.They are isolated on the
device from VDD, VDDQ, VSS and VSSQ.
2) NC, (A14) andNC, (A15) are additional address pins for future generation DRAMs
and are not connected on this component.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G160AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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