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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G400AF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/89頁 |
| 文件大小： | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G400AF-37 |
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Page 16 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
MRS Mode Register Operation Table (Address Input For Mode Set)
A8
DLL Reset
0
No
1
Yes
A12
Active Power-Down
Mode Select
0
Fast exit (use tXARD)
1
Slow exit (use tXARDS)
A11
A3
A4
A2
A1
Address Field
A10
A9
A8
A7
A6
A5
BT
Burst Length
Mode
Register
A6
A5
A4
Latency
Reserved
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
Reserved
2
(optional)
***)
3
1
1
0
0
0
1
4
5
1
1
1
0
1
Reserved
Reserved
Burst Type
0
Sequential
1
Interleave
BA1
BA0
TM CAS Latency
A7
Mode
0
Normal
1
Test
DLL
WR
0*
A11
A10
A9
WR **)
Reserved
2
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
3
4
5
1
1
1
0
1
1
1
0
1
6
Reserved
Reserved
A2
A1
A0
Burst Length
0
1
0
4
0
1
1
8
A13~
A15
A12
0*
0*
BA1
0
0
BA0
0
1
MRS mode
MRS
EMRS(1)
EMRS(2):
Reserved
EMRS(3):
Reserved
1
0
1
1
PD
BA2
0*
*) Must be programmed to 0 when setting the mode register. A13 ~ A15 and BA2 are reserved for future use
and must be programmed to 0 when setting the mode register MRS
**) The programmability of WR (Write Recovery) is for Writes with Auto-Precharge only and defines the time
when the device starts precharge internally. WR must be programmed to fulfill the minimum requirement for
the analogue tWR timing.
***) CAS Latency = 2 is implemented in this design, but functionality is not tested and guaranteed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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