- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370781 > HYB18T1G400AF-37 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 1 Gbit DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G400AF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G400AF-37 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁當(dāng)前第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 51 Rev. 1.02 May 2004
2.8.3 Read or Write to Precharge Command Spacing Summary
The following table summarizes the minimum command delays between Read, Read w/AP, Write, Write w/AP to
the Precharge commands to the same banks and Precharge-All commands.
Burst Write with Auto-Precharge (WR + tRP Limit): WL = 4, tDAL = 6 (WR = 3, tRP = 3), BL = 4
From Command
To Command
Minimum Delay between “From
Command” to “To Command”
Units
Notes
READ
PRECHARGE (to same banks as READ)
AL + BL/2 + max(tRTP, 2) - 2*tck
tCK
1, 2
PRECHARGE-ALL
AL + BL/2 + max(tRTP, 2) - 2*tck
tCK
1, 2
READ w/AP
PRECHARGE (to same banks as READ w/AP)
AL + BL/2 + max(tRTP, 2) - 2*tck
tCK
1, 2
PRECHARGE-ALL
AL + BL/2 + max(tRTP, 2) - 2*tck
tCK
1, 2
WRITE
PRECHARGE (to same banks as WRITE)
WL + BL/2 + tWR
tCK
2
PRECHARGE-ALL
WL + BL/2 + tWR
tCK
2
WRITE w/AP
PRECHARGE (to same banks as WRITE w/AP)
WL + BL/2 + WR
tCK
2
PRECHARGE-ALL
WL + BL/2 + WR
tCK
2
PRECHARGE
PRECHARGE (to same banks as PRECHARGE)
1*tck
tCK
2
PRECHARGE-ALL
1*tck
tCK
2
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE
1*tck
tCK
2
PRECHARGE-ALL
1*tck
tCK
2
Note 1: RTP[cycles] = RU{tRTP(ns) / tCK(ns)}, where RU stands for round up.
Note 2: For a given bank, the precharge period should be counted from the latest precharge command, either one bank precharge or
precharge-all, issued to that bank. The precharge period is satisfied after tRP or tRPall depending on the latest prechargte com-
mand issued to that bank
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
W RITE w/AP
Posted CAS
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T12
NOP
CMD
DQ
BW-AP423
A10 ="high"
tRP
Auto-Precharge Begins
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
WL = RL-1 = 4
WR
>=tRC
T9
T8
Completion of the Burst Write
DQS,
DQS
tDAL
>=tRAS
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G800AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G160AFL-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。