- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370781 > HYB18T256160AF (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256 Mbi t DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁當(dāng)前第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 41 Rev. 1.02 May 2004
Write Burst Interrupt Timing Example: (CL = 3, AL = 0, WL = 2, BL = 8)
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
W RITE A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
WBI
DQS,
DQS
NOP
Din A0
Din A1
Din A2
Din A3
Din B0
Din B1
Din B2
Din B3
Dout B4
Din B5
Din B6
Din B7
W RITE B
CK, CK
NOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。