參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3118165BSJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
文件頁數(shù)： 13/24頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： HYB3118165BSJ-60
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
13
1998-10-01
Write Cycle (OE Controlled Write)
SPT03045
"H" or "L"
DS
RAL
CAS
V
OH
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
V
OL
IL
V
IH
OE
WE
V
IL
IL
V
IH
V
IH
t
DZO
Hi Z
t
CLZ
t
OEA
t
OEZ
t
DZC
ODD
t
t
V
Address
IL
V
V
IH
LCAS
UCAS
RAS
V
IL
V
IH
IL
V
IH
RAD
ASR
t
RAH
t
Row
t
t
Column
ASC
t
CAH
RCD
t
t
t
CSH
t
RAS
t
Hi
Valid Data
t
DH
OEH
t
Z
RWL
CWL
t
t
t
WP
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RC
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3118165BST-50 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
HYB3118165BST-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
HYB 3118165BSJ 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM)
HYB 3118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM)
HYB 3118165BST-60 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3118165BST-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB3118165BST-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB314100BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM
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HYB314100BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM
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