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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3118165BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數(shù)： | 22/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BSJ-60 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
22
1998-10-01
CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
SPT03055
"H" or "L"
t
WCH
t
t
DZC
t
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
OH
OL
V
IL
V
V
IH
V
Write Cycle
OE
WE
IL
IL
V
IH
V
V
IH
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
t
DS
Z
Hi
Data IN
t
WRP
WRH
t
DH
t
t
DZO
WCS
t
t
t
CLZ
OE
WE
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
LCAS
Address
UCAS
IH
IL
V
V
V
IL
IH
V
Read Cycle
RAS
V
IH
IL
V
WRP
t
WRH
t
t
RCS
AA
t
CAC
t
ASC
t
t
CAH
Column
CSR
t
CHR
t
CP
t
RAS
t
RWL
CWL
t
Data OUT
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
OEA
t
RRH
RAL
CAS
t
CDD
t
RCH
t
t
ASR
Row
RSH
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3118165BST-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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