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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3118165BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數(shù)： | 15/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BSJ-60 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
15
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
SPT03056
"H" or "L"
Column 2
Data OUT 1
t
t
OH
OL
IL
IH
IL
IH
I/O
(Output)
V
V
V
OE
WE
V
V
V
RCS
CAC
t
CLZ
RAC
t
AA
t
t
OES
t
OEA
t
IH
IL
IL
IH
IH
IL
Address
V
V
LCAS
UCAS
RAS
V
V
V
V
RCD
ASC
Column 1
Row
ASR
t
RAD
t
t
RAH
t
t
CRP
t
CSH
CAH
t
ASC
t
HPC
CAS
t
t
t
CP
t
RCH
Data OUT N
t
Data OUT 2
t
COH
AA
t
CPA
t
CAC
t
t
COH
t
AA
CPA
t
CAC
t
t
OEZ
OFF
CRP
RP
RHCP
Column N
CAH
t
CAS
t
t
CAH
ASC
t
t
RAL
RRH
t
RSH
t
CAS
t
t
t
RAS
t
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3118165BST-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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