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參數(shù)資料
| 型號： | HYB314100BJL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20 |
| 文件頁數(shù)： | 4/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 1153K |
| 代理商： | HYB314100BJL-60 |
Semiconductor Group
4
HYB 314100BJ/BJL-50/-60/-70
3.3V 4M x 1 DRAM
Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314100BJL-70 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314175BJ-50 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動態(tài)RAM) |
| HYB314175BJ-50- | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB314175BJ-55 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB314175BJ-60 | Transistor Array IC; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314100BJL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314171BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh |
| HYB314171BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh |
| HYB314171BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh |
| HYB314171BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit Dynamic RAM 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh |
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