參數(shù)資料
型號： IDT70V7599S200BCI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 3.3V的128K的× 36 SYNCHRONOU開戶銀行可切換雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁數(shù)： 14/22頁
文件大小： 489K
代理商： IDT70V7599S200BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Port A Write to Pipelined Port B Read
(1,2,4)
CLK
"A"
R/
W
"A"
BANK ADDRESS
AND ADDRESS
"A"
DATA
IN"A"
CLK
"B"
R/
W
"B"
BANK ADDRESS
AND ADDRESS
"B"
DATA
OUT"B"
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
CD2
Dn
An
An
Dn
5626 drw 10
t
DC
t
CO
(3)
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read
(1,2,4)
DATA
IN "A"
CLK
"B"
R/
W
"B"
BANK ADDRESS
ANDADDRESS
"A"
R/
W
"A"
CLK
"A"
BANK ADDRESS
ANDADDRESS
"B"
An
An
Dn
t
DC
DATA
OUT "B"
5626 drw 11
Dn
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
t
HW
t
HA
t
CD1
t
CO
(3)
t
DC
t
SA
t
SW
NOTES:
1.
CE
0
,
BE
n
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
2.
OE
= V
IL
for Port "B", which is being read from
OE
= V
IH
for Port "A", which is being written to.
3. If t
CO
< mnimumspecified, then operations fromboth ports are INVALID. If t
CO
≥
mnimum then data fromPort "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(ie, time fromwrite to valid read on opposite port will be t
CO
+ t
CYC2
+ t
CD2
).
4. All timng is the same for Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A"
NOTES:
1.
CE
0
,
BE
n, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
2.
OE
= V
IL
for the Right Port, which is being read from
OE
= V
IH
for the Left Port, which is being written to.
3. If t
CO
< mnimumspecified, then operations fromboth ports are INVALID. If t
CO
≥
mnimum then data fromPort "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(i.e., time fromwrite to valid read on opposite port will be t
CO
+ t
CD1
).
4. All timng is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
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PDF描述
IDT70V7599S200BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BCI High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
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參數(shù)描述
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IDT70V9079L12PFI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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