參數(shù)資料
型號： IDT70V7599S200BCI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 3.3V的128K的× 36 SYNCHRONOU開戶銀行可切換雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁數(shù)： 8/22頁
文件大小： 489K
代理商： IDT70V7599S200BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Capacitance
(1)
(T
A
= +25°C, F = 1.0MH
Z
) PQFP ONLY
Conditions
(2)
Max.
Unit
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 150mV)
NOTES:
1. At V
DD
< 2.0V leakages are undefined.
2. V
DDQ
is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V7599S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DDQ
= Max., V
IN
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
(1)
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
V
OL
(3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +4mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(3.3V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -4mA, V
DDQ
= Min.
2.4
___
V
V
OL
(2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +2mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(2.5V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -2mA, V
DDQ
= Min.
2.0
___
V
5626 tbl 08
NOTES:
1. These parameters are determned by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from0V to 3V or from3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
Symbol
Parameter
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
8
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10.5
pF
5626 tbl 07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S200BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BCI High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
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參數(shù)描述
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IDT70V9079L12PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9079L12PFI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V9079L12PFI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9079L6PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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