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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V7599S200BCI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 3.3V的128K的× 36 SYNCHRONOU開戶銀行可切換雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 16/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | IDT70V7599S200BCI |
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
= V
IL
)
(2)
t
CYC1
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
Controlled)
(2)
t
CYC1
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determned by the previous cycle control signals.
2.
CE
0
,
BE
n, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
5626 drw 14
Qn
DATA
OUT
CE
1
BE
n
t
CD1
Qn + 1
t
CH1
t
CL1
t
SD
t
HD
t
CD1
t
CD1
t
DC
t
CKHZ
NOP
Qn + 3
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
READ
t
CKLZ
(3)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(4)
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
t
SD
t
HD
An + 3
An + 4
An + 5
(3)
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
5626 drw 15
Qn
DATA
OUT
CE
1
BE
n
t
CD1
t
CH1
t
CL1
t
CD1
t
DC
Qn + 4
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
WRITE
READ
t
CKLZ
(1)
Dn + 3
t
OHZ
t
SW
t
HW
OE
t
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7599S200BF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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參數(shù)描述 |
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| IDT70V9079L12PFI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9079L12PFI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V9079L6PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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