參數(shù)資料
型號： IDT70V7599S200BCI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 3.3V的128K的× 36 SYNCHRONOU開戶銀行可切換雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁數(shù)： 2/22頁
文件大?。?/td> 489K
代理商： IDT70V7599S200BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description:
The IDT70V7599 is a high-speed 128Kx36 (4Mbit) synchronous
Bank-Switchable Dual-Ported SRAMorganized into 64 independent
2Kx36 banks. The device has two independent ports with separate
control, address, and I/O pins for each port, allowing each port to access
any 2Kx36 memory block not already accessed by the other port.
Accesses by the ports into specific banks are controlled via the bank
address pins under the user's direct control.
Registers on control, data, and address inputs provide mnimal setup
and hold times. The timng latitude provided by this approach allows
systems to be designed with very short cycle times. With an input data
Pin Configuration
(1,2,3,4)
NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 15mmx 15mmx 1.4mmwith 0.8mmball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
A17
V
SS
B17
I/O
15R
C17
V
SS
D17
I/O
14R
E16
V
SS
E17
I/O
13L
D16
I/O
14L
C16
I/O
15L
B16
I/O
16L
A16
I/O
17L
A15
OPT
L
B15
V
DDQR
C15
I/O
16R
D15
V
DDQL
E15
I/O
13R
E14
I/O
12L
D14
I/O
17R
D13
V
DD
C12
A
6L
C14
V
DD
B14
V
SS
A14
A
0L
A12
CNTEN
L
B12
A
5L
C11
R/
W
L
D12
A
3L
D11
REPEAT
L
C10
V
SS
B11
ADS
L
A11
CLK
L
D8
BE
0L
C8
BE
3L
A9
BE
1L
D9
V
DD
C9
CE
1L
B9
CE
0L
D10
OE
L
C7
A
10L
B8
BE
2L
A8
A
8L
B13
A
1L
A13
A
4L
A10
V
DD
D7
A
7L
B7
A
9L
A7
BA
1L
B6
BA
2L
C6
BA
3L
D6
BA
0L
A5
NC
B5
NC
C5
NC
D5
BA
4L
A4
TDO
B4
TDI
C4
PL/
FT
L
D4
I/O
20L
A3
V
SS
B3
I/O
18R
C3
V
DDQR
D3
I/O
21L
D2
V
SS
C2
I/O
19R
B2
V
SS
A2
IO
18L
A1
IO
19L
B1
I/O
20R
C1
V
DDQL
D1
I/O
22L
E1
I/O
23L
E2
I/O
22R
E3
V
DDQR
E4
I/O
21R
F1
V
DDQL
F2
I/O
23R
F3
I/O
24L
F4
V
SS
G1
I/O
26L
G2
V
SS
G3
I/O
25L
G4
I/O
24R
H1
V
DD
H2
I/O
26R
H3
V
DDQR
H4
I/O
25R
J1
V
DDQL
J2
V
DD
J3
V
SS
J4
V
SS
K1
I/O
28R
K2
V
SS
K3
I/O
27R
K4
V
SS
L1
I/O
29R
L2
I/O
28L
L3
V
DDQR
L4
I/O
27L
M1
V
DDQL
M2
I/O
29L
M3
I/O
30R
M4
V
SS
N1
I/O
31L
N2
V
SS
N3
I/O
31R
N4
I/O
30L
P1
I/O
32R
P2
I/O
32L
P3
V
DDQR
P4
I/O
35R
R1
V
SS
R2
I/O
33L
R3
I/O
34R
R4
TCK
T1
I/O
33R
T2
I/O
34L
T3
V
DDQL
T4
TMS
U1
V
SS
U2
I/O
35L
U3
PL/
FT
R
U4
NC
P5
TRST
R5
NC
U6
BA
0R
P12
CNTEN
R
P8
A
8R
U10
OE
R
P9
BE
1R
R8
BE
2R
T8
BE
3R
U9
V
DD
P10
V
DD
T11
R/
W
R
U8
BE
0R
P11
CLK
R
R12
A
5R
T12
A
6R
U12
A
3R
P13
A
4R
P7
BA
1R
R13
A
1R
T13
A
2R
U13
A
0R
R6
BA
2R
T5
NC
U7
A
7R
U14
V
DD
T14
V
SS
R14
V
SS
P14
I/O
2L
P15
I/O
3L
R15
V
DDQL
T15
I/O
0R
U15
OPT
R
U16
I/O
0L
U17
I/O
1L
T16
V
SS
T17
I/O
2R
R17
V
DDQR
R16
I/O
1R
P17
I/O
4L
P16
V
SS
N17
I/O
5L
N16
I/O
4R
N15
V
DDQL
N14
I/O
3R
M17
V
DDQR
M16
I/O
5R
M15
I/O
6L
M14
V
SS
L17
I/O
8L
L16
V
SS
L15
I/O
7L
L14
I/O
6R
K17
V
SS
K16
I/O
8R
K15
V
DDQL
K14
I/O
7R
J17
V
DDQR
J16
V
SS
J15
V
DD
J14
V
SS
H17
I/O
10R
H16
V
SS
H15
IO
9R
H14
V
DD
G17
I/O
11R
G16
I/O
10L
G15
V
DDQL
G14
I/O
9L
F17
V
DDQR
F16
I/O
11L
F14
V
SS
70V7599BF
BF-208
(5)
208-Pin fpBGA
Top View
(6)
F15
I/O
12R
R9
CE
0R
R11
ADS
R
T6
BA
3R
T9
CE
1R
A6
BA
5L
B10
V
SS
C13
A
2L
P6
BA
5R
R10
V
SS
R7
A
9R
T10
V
SS
T7
A
10R
U5
BA
4R
5626 drw 02c
,
11/08/01
register, the IDT70V7599 has been optimzed for applications having
unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down
feature, controlled by CE
0
and CE
1
, permts the on-chip circuitry of each
port to enter a very low standby power mode. The dual chip enables also
facilitate depth expansion.
The 70V7599 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for
the core of the device(V
DD
) remains at 3.3V. Please refer also to the
functional description on page 19.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S200BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S133BCI High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V9079L12PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V9079L12PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9079L12PFI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V9079L12PFI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9079L6PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*