參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7341
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 134K
代理商： IRF7341
IRF7341
www.irf.com
5
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
4.5A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7342D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
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IRF7389 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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