參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7350PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大小： 320K
代理商： IRF7350PBF
IRF7350PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
4
8
12
16
20
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
2.1A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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參數(shù)描述
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