參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7416
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
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代理商： IRF7416
IRF7416
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
+
-
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
-10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
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PDF描述
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