參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7416
廠商： International Rectifier
英文描述： P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： IRF7416
IRF7416
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
*
V
GS
*
**
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 13.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7422D2PBF FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode
IRF7422D2 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7424PBF HEXFET Power MOSFET
irf7424 Ultra Low On-Resistance
IRF7457PBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP; with ADC Present
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參數(shù)描述
IRF7416GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -30V -10A SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Cur 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-10A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):20mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
IRF7416QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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