參數資料
型號： IRF7416
廠商： International Rectifier
英文描述： P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： P溝道HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管）
文件頁數： 6/9頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IRF7416
IRF7416
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
o
ID
-2.5A
-4.5A
-5.6A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRF7422D2PBF FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode
IRF7422D2 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7424PBF HEXFET Power MOSFET
irf7424 Ultra Low On-Resistance
IRF7457PBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP; with ADC Present
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF7416GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -30V -10A SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Cur 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-10A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):20mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
IRF7416QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7416QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*