參數(shù)資料
型號(hào)： IS41LV16100A-60TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-50/44
文件頁(yè)數(shù)： 12/22頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： IS41LV16100A-60TL
IS41LV16100A
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
03/02/05
ISSI
READ WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE Cycles)
t
RAS
t
RWC
t
RP
t
AR
t
CAH
t
ASC
t
RAD
t
RAH
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RAL
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Column
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RWL
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CAC
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CLZ
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DS
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DH
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OEH
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OD
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OE
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RAC
t
AA
I/O
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Open
Valid D
OUT
Valid D
IN
Don’t Care
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS41LV16100A-60TLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16105 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS41LV16100B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100B-50K 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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