參數(shù)資料
型號(hào): IS41LV16100A-60TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-50/44
文件頁數(shù): 2/22頁
文件大小: 144K
代理商: IS41LV16100A-60TL
IS41LV16100A
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
03/02/05
ISSI
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
WE
O
DATA I/O BUS
COLUMN DECODERS
SENSE AMPLIFIERS
MEMORY ARRAY
1,048,576 x 16
R
D
CAS
CLOCK
GENERATOR
WE
CONTROL
LOGICS
OE
CONTROL
LOGIC
I/O0-I/O15
RAS
R
A0-A9
RAS
CLOCK
GENERATOR
REFRESH
COUNTER
ADDRESS
BUFFERS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS41LV16100A-60TLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16105 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS41LV16100A-60TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100B-50K 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube