參數(shù)資料
型號(hào)： IS41LV16100A-60TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-50/44
文件頁(yè)數(shù)： 8/22頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： IS41LV16100A-60TL
IS41LV16100A
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
03/02/05
ISSI
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
(1,2,3,4,5,6)
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)
-50
-60
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
WP
Write Command Pulse Width
(17)
8
—
10
—
ns
t
WPZ
WE
Pulse Widths to Disable Outputs
10
—
10
—
ns
t
RWL
Write Command to
RAS
Lead Time
(17)
13
—
15
—
ns
t
CWL
Write Command to
CAS
Lead Time
(17, 21)
8
—
15
—
ns
t
WCS
Write Command Setup Time
(14, 17, 20)
0
—
0
—
ns
t
DHR
Data-in Hold Time (referenced to
RAS
)
39
—
40
—
ns
t
OEH
OE
Hold Time from
WE
during
READ-MODIFY-WRITE cycle
(18)
14
—
15
—
ns
t
DS
Data-In Setup Time
(15, 22)
0
—
0
—
ns
t
DH
Data-In Hold Time
(15, 22)
8
—
15
—
ns
t
RWC
READ-MODIFY-WRITE Cycle Time
110
—
155
—
ns
t
RWD
RAS
to
WE
Delay Time during
READ-MODIFY-WRITE Cycle
(14)
65
—
85
—
ns
t
CWD
CAS
to
WE
Delay Time
(14, 20)
26
—
40
—
ns
t
AWD
Column-Address to
WE
Delay Time
(14)
40
—
55
—
ns
t
PC
EDO Page Mode READ or WRITE
Cycle Time
(24)
30
—
40
—
ns
t
RASP
RAS
Pulse Width in EDO Page Mode
50
100K
60
100K
ns
t
CPA
Access Time from
CAS
Precharge
(15)
—
30
—
35
ns
t
PRWC
EDO Page Mode READ-WRITE
Cycle Time
(24)
56
—
56
—
ns
t
COH
Data Output Hold after
CAS
LOW
5
—
5
—
ns
t
OFF
Output Buffer Turn-Off Delay from
CAS
or
RAS
(13,15,19, 29)
3
12
3
15
ns
t
WHZ
Output Disable Delay from
WE
3
10
3
15
ns
t
CLCH
Last
CAS
going LOW to First
CAS
returning HIGH
(23)
10
—
10
—
ns
t
CSR
CAS
Setup Time (CBR REFRESH)
(30, 20)
5
—
5
—
ns
t
CHR
CAS
Hold Time (CBR REFRESH)
(30, 21)
8
—
10
—
ns
t
ORD
OE
Setup Time prior to
RAS
during
HIDDEN REFRESH Cycle
0
—
0
—
ns
t
REF
Auto Refresh Period (1,024 Cycles)
—
16
—
16
ms
t
T
Transition Time (Rise or Fall)
(2, 3)
3
50
3
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS41LV16100A-60TLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16105 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS41LV16100A-60TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100B-50K 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*