參數(shù)資料
型號： IS41LV16100A-60TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-50/44
文件頁數(shù)： 18/22頁
文件大小： 144K
代理商： IS41LV16100A-60TL
IS41LV16100A
18
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
03/02/05
ISSI
HIDDEN REFRESH CYCLE
(1)
(
WE
= HIGH;
OE
= LOW)
CBR
REFRESH CYCLE
(Addresses;
WE
,
OE
= DON'T CARE)
Notes:
1. A Hidden Refresh may also be performed after a Write Cycle. In this case,
WE
= LOW and
OE
= HIGH.
2. t
OFF
is referenced from rising edge of
RAS
or
CAS
, whichever occurs last.
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
I/O
UCAS
/
LCAS
RAS
Open
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RAS
t
RAS
t
RP
UCAS
/
LCAS
RAS
t
CRP
t
RCD
t
RSH
t
CHR
t
AR
t
ASC
t
RAD
t
RAH
ADDRESS
Row
Column
t
ASR
t
RAL
t
CAH
I/O
Open
Open
Valid Data
t
AA
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OFF
(2)
OE
t
OE
t
ORD
t
OD
Don’t Care
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS41LV16100A-60TLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM)
IS41LV16105 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁模式動態(tài)RAM)
IS41LV16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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參數(shù)描述
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IS41LV16100B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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IS41LV16100B-50KI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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