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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16160A |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 16 256兆位DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 16/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 792K |
| 代理商： | IS43R16160A |
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16
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
ISSI
IS43R16160A
Burst Write Timing
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the
burst cycle is latched into the device.
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
0
D
1
D
2
D
3
CK, CK
Command
DQS(nom)
DQ(nom)
t
WPRES
t
DQSS
t
WPST
t
DH
D
0
D
1
D
2
D
3
DQS(min)
DQ(min)
t
DQSS
(min)
D
0
D
1
D
2
D
3
DQS(max)
DQ(max)
t
WPRES
(min)
t
DQSS
(max)
t
DS
t
DS
t
DH
t
WPRES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16320A | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16320A-6TL | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6T | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16160A-5T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160A-5TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
| IS43R16160B-5BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
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