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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS43R32400A-5B |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 11/25頁 |
| 文件大小： | 1295K |
| 代理商： | IS43R32400A-5B |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
11
ISSI
IS43R32400A
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
DD
= 2.5V +/- 5%, T
A
= 0
o
C to +70
o
C)
-5
-6
Symbol
t
CK
Parameter
Clock Cycle Time
Test Condition
CL = 3
CL = 4
CL = 5
Min.
5
5
5
0.45
0.45
-0.7
-0.85
—
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.5
0.7
t
CH
or t
CL
t
HP
- 0.5
12
14
8
4
2
3
2
2
2
1
2
7
200
t
IS
+ 2 x t
CK
—
Max.
10
10
10
0.55
0.55
0.7
0.85
0.45
1.1
0.6
1.15
—
—
0.6
0.6
0.6
—
—
—
—
—
—
—
100K
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.8
Min.
6
6
6
0.45
0.45
-0.7
-0.85
—
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.5
0.7
t
CH
or t
CL
t
HP
- 0.55
11
12
7
4
2
3
2
2
2
1
2
7
200
t
IS
+ 2 x t
CK
—
—
Max.
10
10
10
0.55
0.55
0.7
0.85
0.45
1.1
0.6
1.15
—
—
0.6
0.6
0.6
—
—
—
—
—
—
—
120K
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
μs
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
WPRES
t
WPREH
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
t
IS
t
DS
t
DH
t
HP
t
QH
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCDRD
t
RCDWR
t
RP
t
RRD
t
WR
t
CDLR
t
CCD
t
MRD
t
DAL
t
XSA
t
PDEX
t
REF
Clock High Level Width
Clock Low Level Width
DQS-Out Access Time from CLK,
CLK
Output Access Time from CLK,
CLK
DQS-DQ Skew
Read Preamble
Read Postamble
CLK to Valid DQS-In
DQS-In Setup Time
DQS-In Hold Time
DQS Write Post Postamble
DQS-In High Level Pulse Width
DQS-In Low Level Pulse Width
Address and Control Input Setup Time
DQ and DM Setup Time to DQS
DQ and DM Hold Time to DQS
Clock Half Period
Output DQS Valid Window
Row Cycle Time
Refresh Row Cycle Time
Row Active Time
RAS
to
CAS
Delay in Read
RAS
to
CAS
Delay in Write
Row Pre-charge Time
Row Active to Row Active Delay
Write Recovery Time
Last Data-In to Read Command
Column Address to Column Address Delay
Mode Register Load Delay
Auto Pre-charge Write Recovery + Pre-charge
Self Refresh Exit to Read Command Delay
Power Down Exit Time
Refresh Interval Time
7.8
Notes:
1. Operating outside the “Absolute Maximum Ratings” may lead to temporary or permanent device failure.
2. Power up sequence describe in “Initialization” section.
3. All voltages are referenced to Vss.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-5BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BLI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-5BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-5BL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-5B-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6B | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
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