參數(shù)資料
型號： IS43R32400A-5B
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-144
文件頁數(shù)： 20/25頁
文件大?。?/td> 1295K
代理商： IS43R32400A-5B
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
ISSI
IS43R32400A
Timing Waveforms
Figure 1. AC Parameters for Read Timing ( Burst Length =4)
Figure 2. AC Parameters for Write Timing (Burst Length=4 )
CMD
CK#
CK
A0-11,
DQS
DM
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A-5BL 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BL 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BLI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R32400A-5BL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-5BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-5B-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-6B 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-6BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
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