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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32400A-5B |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 7/25頁 |
| 文件大小： | 1295K |
| 代理商： | IS43R32400A-5B |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
7
ISSI
IS43R32400A
DETAILED COMMAND TRUTH TABLE - DIFFERENT BANKS (bank b, then bank g)
Function (n)
NOP or Continue
previous operation
NOP or Continue
previous operation
Issue any command to
bank g otherwise valid
Start Read Burst in
bank g
Command (n)
Deselect
Prior State (n - 1)
Any
CKE (n - 1)
H
CKE (n)
H
CS
H
RAS
X
CAS
X
WE
X
NOP
Any
H
H
L
H
H
H
Any command
Idle
H
H
X
X
X
X
Read
Row in bank b
active, activating,
or pre-charging
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
Row in bank b active,
activating, or
pre-charging
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
H
H
L
H
L
H
Read
H
H
L
H
L
H
Read
H
H
L
H
L
H
Read
H
H
L
H
L
H
Read
H
H
L
H
L
H
Start Write Burst in bank g
Write
H
H
L
H
L
L
Write
(1)
H
H
L
H
L
L
Write
H
H
L
H
L
L
Write
(1)
H
H
L
H
L
L
Write
H
H
L
H
L
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-5BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BLI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-5BL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-5BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-5B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6B | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
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