參數(shù)資料
型號(hào): IS43R32400A-6BL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝: 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁數(shù): 20/25頁
文件大?。?/td> 1295K
代理商: IS43R32400A-6BL
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
ISSI
IS43R32400A
Timing Waveforms
Figure 1. AC Parameters for Read Timing ( Burst Length =4)
Figure 2. AC Parameters for Write Timing (Burst Length=4 )
CMD
CK#
CK
A0-11,
DQS
DM
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A-6BLI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS45LV44002B 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45LV44002B-50JLA1 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS45S16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R32400A-6BLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-6B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400D-4BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube