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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS43R32400A-6BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 5/25頁 |
| 文件大小： | 1295K |
| 代理商： | IS43R32400A-6BL |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
5
ISSI
IS43R32400A
COMMAND TRUTH TABLE
Function
Device Deselect (NOP)
No Operation (NOP)
Burst Stop
(2)
Read
(3)
Write
(3)
Bank and Row Activate
Pre-charge select bank
Pre-charge all banks
Load Mode Register (Base)
Load Extended Mode Register
Auto Refresh
Self Refresh
CKE (n - 1)
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CKE (n)
x
x
H
x
x
x
x
x
x
x
x
x
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
x
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
CAS
x
H
H
L
L
H
H
H
L
L
L
L
WE
x
H
L
H
L
H
L
L
L
L
H
H
BA1
x
x
x
V
V
V
V
x
L
L
x
x
BA0
x
x
x
V
V
V
V
x
L
H
x
x
Address
x
x
x
V
V
V
x
x
V
V
x
x
Notes:
1. H = VIH, L = VIL, x = VIH or VIL, V = Valid Data.
2. This command only applies to Read command with Auto Pre-charge disabled.
3. Auto Pre-charge is enabled with A8 = H (x32).
DATA MASK TRUTH TABLE
Function
Write Enable for Data Byte DQ
0
-DQ
7
Write Disable for Data Byte DQ
0
-DQ
7
Write Enable for Data Byte DQ
8
-DQ
15
Write Disable for Data Byte DQ
8
-DQ
15
Write Enable for Data Byte DQ
16
-DQ
23
Write Disable for Data Byte DQ
16
-DQ
23
Write Enable for Data Byte DQ
24
-DQ
31
Write Disable for Data Byte DQ
24
-DQ
31
Notes:
1. H = VIH, L = VIL, x = VIH or VIL, V = Valid Data.
CKE (n - 1)
H
H
H
H
H
H
H
H
CKE (n)
x
x
x
x
x
x
x
x
DM0
L
H
x
x
x
x
x
x
DM1
x
x
L
H
x
x
x
x
DM2
x
x
x
x
L
H
x
x
DM3
x
x
x
x
x
x
L
H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-6BLI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS45LV44002B | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45LV44002B-50JA1 | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45LV44002B-50JLA1 | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45S16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-6BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6B-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400D-4BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400D-4BL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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