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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32400A-6BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 8/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 1295K |
| 代理商： | IS43R32400A-6BL |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
ISSI
IS43R32400A
DETAILED COMMAND TRUTH TABLE - LOW POWER MODES
Function (n)
Maintain Power Down
Maintain Self Refresh
Exit Power Down
Exit Self Refresh Mode Deselect or NOP
Enter Pre-Charge
Power Down Mode
Enter Active Power
Down Mode
Enter Self Refresh
Mode
Command (n)
don’t care
don’t care
Deselect or NOP
Prior State (n - 1)
Power Down Mode
Self Refresh Mode
Power Down
Self Refresh Mode
All Banks Idle
CKE (n - 1)
L
L
L
L
H
CKE (n)
L
L
H
H
L
CS
X
X
X
X
X
RAS
X
X
X
X
X
CAS
X
X
X
X
X
WE
X
X
X
X
X
Deselect or NOP
Deselect or NOP
Bank(s) Active
H
L
X
X
X
X
Auto Refresh
All Banks Idle
H
L
L
L
L
H
DETAILED COMMAND TRUTH TABLE - DIFFERENT BANKS (bank b, then bank g)
-cont.
Function (n)
Start Pre-charge
Command (n)
Pre-charge
Prior State (n - 1)
Row in bank b active,
activating, or
pre-charging
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge disabled)
Read underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
Write underway in
bank b (Auto Pre-
charge enabled)
CKE (n - 1)
H
CKE (n)
H
CS
L
RAS
L
CAS
H
WE
L
Pre-charge
H
H
L
L
H
L
Pre-charge
H
H
L
L
H
L
Pre-charge
H
H
L
L
H
L
Pre-charge
H
H
L
L
H
L
Note:
1. A Write command may be terminated only at the completion of the Read burst. However, a Burst Terminate can be transmitted
to end the Read burst early so that a Write command can be asserted.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-6BLI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS45LV44002B | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45LV44002B-50JA1 | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45LV44002B-50JLA1 | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS45S16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32400A-6BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400A-6B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 333MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400D-4BL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32400D-4BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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